kw.\*:("GALLIUM ARSENIOPHOSPHURE")
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ETUDE DU REGIME DE SATURATION DE L'ATTAQUE ANODIQUE EN MILIEU BASIQUE D'ELECTRODES DE GAAS1-XPXEL HALOUANI F; DESCHANVRES A.1982; ELECTROCHIM. ACTA; ISSN 0013-4686; GBR; DA. 1982; VOL. 27; NO 3; PP. 379-383; ABS. ENG; BIBL. 4 REF.Article
CINETIQUE DE L'ETABLISSEMENT DE L'EQUILIBRE D'UNE ELECTRODE SEMI-CONDUCTRICE: CAS DE GA(AS1-XPX)TRAORE H; EL HALOUANI F; ALLAIS G et al.1979; ELECTROCHIM. ACTA; GBR; DA. 1979; VOL. 24; NO 1; PP. 67-71; ABS. ENG; BIBL. 21 REF.Article
DETERMINATION OF ZINC-DIFFUSION PROFILES IN GALLIUM PHOSPHIDE AND GALLIUM ARSENOPHOSPHIDE WITH THE AID OF RADIOACTIVE ISOTOPES.VERPLANKE JC; TIJBURG RP.1977; PHILIPS TECH. REV.; NETH.; DA. 1977; VOL. 37; NO 516; PP. 121-123; BIBL. 5 REF.Article
